驚見1Gb殺手！台DRAM廠壓力飆增-1Gb賠錢破洞擴大

驚見1Gb殺手！台DRAM廠壓力飆增 繼三星大舉壓境 瑞晶產量震驚業界 1Gb賠錢破洞擴大
連于慧╱台北	2007/11/15

繼韓系大廠三星電子(Samsung Electronics)大動作以1Gb顆粒壓境512Mb地盤，近期台系DRAM廠亦驚見1Gb殺手！採72奈米製程生產1Gb產品的瑞晶半導體，11 月產量將大幅拉升至1,500萬顆，預計12月更將激增至2,000萬顆，由於瑞晶營運策略鎖定生產1Gb產品，相較於其他台廠目前仍以512Mb為主 軸，瑞晶大量開出1Gb產品，不僅震驚業界，更讓1Gb價格壓力快速浮現，目前有效測試顆粒(eTT)報價已跌破2美元，台系DRAM廠對此憂心忡忡。 由 日系DRAM大廠爾必達(Elpida)與力晶所合資成立瑞晶，營運策略相當特殊，鎖定生產1Gb DDR2顆粒，顯見其看好1Gb取代512Mb趨勢，並趁著其他台廠在1Gb出貨量仍不高，且部分業者仍以成本較高的90奈米製程生產之際，精準且快速地 以72奈米製程卡位1Gb世代市場。 廣告 值 得注意的是，瑞晶10月1Gb顆粒產出數量還不到500萬顆，11月卻一口氣拉升至約1,500萬顆，由2家母公司爾必達和力晶各分得一半產出，後端封裝 業務則分別交由力成和日月鴻，瑞晶預計12月1Gb產出更將大幅拉升至2,000萬顆，擴產速度之快，令DRAM同業相當吃驚。 事 實上，近期DRAM市場不僅主流512Mb價格愁雲慘霧，1Gb價格亦在國際大廠強扮推手、大量生產下，在短短1個月內，報價從3.6美元一路大跌，目前 eTT價格已跌破2美元，只剩1.96美元，儘管各家DRAM廠紛由512Mb轉進1Gb產品，然現階段各廠1Gb產品已處於賠錢狀態，只是比512Mb 產品少賠一點。 記憶體業者表示，目前1顆1Gb DDR2成本約2.5~3美元，512Mb成本則約1.5~2美元，視良率高低而定，但現在不論是生產1Gb或512Mb產品，都是呈現虧損，更直截了當地說，現在只要是用在個人電腦(PC)中的DRAM，都是賠錢在賣。 台DRAM廠指出，2008年上半整個產業趨勢將是各廠大量由512Mb轉進1Gb容量，因此，隨著1Gb DRAM大量產出，價格勢必大幅滑落，加上2008年下半DDR2可望進一步轉進到DDR3，2008年將是全球DRAM產業相當重要的變革年。 模組廠則認為，1GB模組若採16顆512Mb顆粒生產，其實成本仍高於採8顆1Gb顆粒生產，目前終端零售1GB模組已是市場主流，生產上則仍以512Mb顆粒形式為主，但整個市場主流將很快推向2GB模組，屆時將會採16顆1Gb顆粒生產。

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