集邦：DDR2嚴重跌價 DRAM廠產能轉向DDR3
2007與2008年對DRAM產業而言是艱困的二年，市場供過於求與DRAM廠的大幅擴產導致DDR2顆粒價格嚴重下跌，再加上第四季的PC銷售成績不如預期，使得DRAM顆粒庫存水位攀升，價格更是頻頻破底。根 據集邦科技(DRAMeXchange)的數據，10月7日收盤價格DDR2 1Gb eTT的現貨報價為1.15美元，而DDR2 667 1Gb落在1.19美元間，儘管DDR2目前價格已遠低變動成本，但對於DRAM廠而言，DDR3的開發仍是下一場戰爭的必要關鍵。
集邦針對DRAM廠商產品進程分析，發現目前生產DDR3顆粒的仍為主要的國際大廠，如三星(Samsung)、海力士(Hynix)及爾必達(Elpida)等，至於台系DRAM方面僅有華亞(Inotera)在生產。就生產比例來看，以三星和爾必達生產最為積極。
集邦分析師預估，2008年底前三星和爾必達將會有近10%的產能轉向生產DDR3顆粒。在70奈米以下製程(65奈米與56奈米)也將於今年下半年陸續量產。
集邦科技統計，至2008底前為止DDR3佔整體DRAM顆粒的產出量約在4%左右，以技術領導廠商三星而言，原本規劃DDR3產出至年底超過其產出10%。但受到近期DDR2顆粒價格大跌的影響，廠商將會視市場狀況調整DDR3的轉進速度。
目前在筆記型電腦市場上，如戴爾(Dell)、新力(SONY)、聯想(Lenovo)、東芝(Toshiba)與宏??(Acer)等已相繼推出搭載DDR3記憶體的新機種上市，但集邦分析師認為，在鉅額虧損下，將會影響DRAM廠轉進DDR3的速度。
若DDR2價格仍持續低迷，則到2009年底DDR3在PC主機搭載量僅能達到30%。若DDR2價格快速反彈，將會加速DDR3轉進的速度。
http://www.eettaiwan.com/ART_8800547426_628626_NT_a211719b.HTM
DDR3之王！DDR3 2000穩定燒機測試
DDR3上市 雖然已經有一段時間，不過目前價位還是蠻高的，以入門階級的DDR3 1066產品來說，1GBx2雙通道包裝的也要接近八千新台幣，尤其是跟最近跌到谷底的DDR2比起來更是天壤之別（目前DDR2 1066 1GBx2大約不到五千台幣），所以到要普及的階段應該還是有一段路要走，有些大廠預測可能會到2009年才會成為市場主流。
目前G.SKILL這款型號為HZ的DDR3 1600額定參數為 7-7-7-18，電壓為1.9V，目前售價將近15000元台幣，也是G.SKILL當前最高階的DDR3產品。
M/B ：ASUS Maximus Extreme
MEM ：G.SKILL DDR3 1600 1GBX2 Dual Channel
HDD ：WD 3200KS SATAII 16Mb Cache
VGA CARD ： ASUS 8800GTS 512MB
POWER: ZIPPY 850W
OS ：WIN XP SP2
CPU COOLER：Tt V1
CPU ：Intel Core 2 Duo E8400 WHITE BOX
散熱膏:捷藝急凍王奈米鑽石
測試諸元
8X500=4000MHz
Vcore:1.384v
DDR3 2000 7-6-5-18
Vdimm:2.16v
CPU超至4GHz，記憶體也調整至DDR3 2000 7-6-5-18 電壓2.16V，可以開機令人興奮！
DDR3 2000 7-6-5-18實現，進入作業系統！
記憶體頻寬：11896MB/s
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DDR3之王！DDR3 2000穩定燒機測試
SuperPI 1M過測11.546s。
參數設寬鬆一些才有辦法跑SuperPI 32M，DDR3 2000 8-7-6-18 ，SuperPI 32M過測11m13.656s。
DDR3 2000 8-7-6-18 連3Dmark06也可順利跑完！
接著是SP2004 Blend 9燒機測試，這可是相當嚴苛的測試，有辦法跑超過2小時沒有錯誤發生，可見得DDR3 2000 8-7-6-18在2.16V下可以穩定運作。
同參數同時脈降一些電壓試試，Vdimm設為2.14V也沒有問題，SP2004 Blend 9燒機一小時！
記憶體再好沒有搭配好的主機板也是上不了，如果你要超頻的話記憶體與主機板是有相當密切的關係，不管是在BIOS方面有更細部的調整選項，或是主機板的本身的用料，有時候超不上大家能達到的參數，恐怕主機板才是最主要的原因，當然更高的境界也是得配上萬中選一的記憶體阿！
http://www.coolaler.com/content/node/2002?page=0%2C1
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PQI DDR3-1600 4GB雙通道超頻記憶體模組
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PQI DDR3-1600 4GB雙通道超頻記憶體模組(A+A2U&n(I8k(@%}2b
火鳳凰Turbo系列－Immortality Edition 飆速上市
全 球記憶體模組大廠-勁永國際（PQI）推出最新DDR3-1600 4GB雙通道記憶體模組，運算時脈最高可達1688MHz，1.54V低電壓設計，在運作上比DDR2記憶體模組更為省電。PQI DDR3-1600雙條2GB記憶體模組，不僅容量加倍，超頻速度更快。擁有雙通道的高容量記憶可大幅減少系統對硬碟中虛擬記憶體的使用，讓整體電腦系統 的運作反應更順暢。
9|*w*i(`7j6_!kXFastest Media & ForumPQI DDR3-1600 4GB雙通道記憶體模組具備高速、低耗電、高效率的特性，相容於Intel最新X38晶片組，特別篩選Elpida 70nm製程的128M*8的顆粒，不需要加太高的電壓下即可進行超頻，也提高記憶體模組與電腦平台的相容性及穩定性。雙條記憶體模組傳輸頻寬可達 25.6GB/Sec。PQI DDR3-1600記憶體模組採取FBGA封裝技術，能有效降低高頻工作的溫度和資料雜訊，並大幅提升資料傳輸速率，完全符合JEDEC制定的標準規格。 同時可相容Intel最新的XMP(Extreme Memory Profiles) 超頻記憶體規格，使用於Intel XMP主機板時，晶片組會自動讀取記憶體模組中的SPD，自動執行超頻。 XFastest Media & Forum5_!`#u-o9_)I+i
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PQI所推出的DDR3-1600 4GB雙通道記憶體模組，搭配最新款的火鳳凰Turbo系列－Immortality Edition散熱片，PQI除了加大散熱片寬度外並在散熱片上方增加排溝設計，讓此款Immortality Edition散熱片能有效排除因高速運轉所產生的廢熱，散熱效能最高可降低到20%廢熱。PQI DDR3-1600 4GB雙通道記憶體模組亦提供終身保固服務，讓消費者更能體驗PQI所提供的完善服務。有關勁永國際最新消息和系列產品的介紹，請參考PQI全球資訊網站www.pqi.com.tw。 (A$U!A8y4r v-|5`#P
【產品規格】
$V8i*Q&g2e-j AChip : 128*8 with 70nm process XFastest Media & Forum2b/U+|6Q7n'T%k)Y5]4t
Working Voltage : 1.54V
-B4I3\0t%a;T2x;i%FCL : 8-8-8-241Z,y7v,?6C(H+d
The maximum working frequency : 1688 MHz (1.54V)
6Y!j$t6x"|XFastest Media & ForumDimension: 133.35 x 30 x 4 mmwww.xfastest.com2M:@;{#O*v-K2@-h;g
Platform Chipset : X38
http://www.xfastest.com/viewthread.php?tid=8939
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http://news.sina.com.tw/article/20080923/883024.html
南科發表Elixir DDR3 1066 SODIMM 筆記型電腦專用記憶體
手機王 (2008-09-23 21:50)
南科發表Elixir DDR3 1066 SODIMM 筆記型電腦專用記憶體支援NB 新處理器平台Intel Montevina 桃園台灣97年9月18日 先進記憶體領導廠商之一的南亞科技股份有限公司（"南科"），今日宣佈支援新世代Intel® Centrino ® 2 Montevina 筆記型電腦新處理器平台的南亞科技旗下Elixir DDR3 1066 SODIMM 筆記型電腦專用記憶體正式登場。相繼推出高容量1GB 及2GB SODIMM 筆記型電腦專用記憶體產品，以滿足追求高效節能筆電的需求。Intel Centrino 2 Montevina採用45奈米製程 Penryn 處理器，搭配代 號為Cantiga的新晶片組，可以支援最新的DDR3記憶體規格。根據今年資策會統計，2008年全球筆記型電腦出貨量將達1.19 億台，較2007 年出貨量成長23.1 ％；預估2009 年至2011 年，全球筆記型電腦出貨量將達4.77 億台，仍將每年持續維持11 ％到16.8 ％之間的成長。筆記型電腦將發展成PC 市場的主力商品。Elixir DDR3 1066 1GB/2GB 筆記型電腦專用記憶體模組採用WBGA 封裝技術並遵循JEDEC 所制訂的DDR3 標準採8 bit 預取設計，較 DDR2 4bit 的預取設計成倍數成長，資料傳輸率介於800Mbps -1600Mbps。1GB 和2GB 的SODIMM 模組是由南科以70 奈米技術所生產的1Gbit DDR3 元件所組成，僅需1.5V 的電力供給，較DDR2 的1.8V 有效降低約20 ％的耗電量。DDR3 1Gbit 的基礎元件是由南亞科技與其合作夥伴奇夢達共同開發。每一條Elixir DDR3 1066 1GB/2GB 記憶體具極佳效能表現，以滿足玩家的狂熱。南亞科技全球業務行銷副總經理暨發言人白培霖博士表示：「低耗電的Elixir DDR3 筆記型電腦專用記憶體，以其優異的運算及繪圖表現，為將帶動筆電市場換機潮的Intel Centrino 2 Montevina 提供最佳的記憶體解決方案。」Elixir SODIMM DDR3 1066 筆記型電腦專用記憶體產品規格：204-pin DDR3 1066MHz SO-DIMMCL 值: 7-7-7記憶體頻寬：8.5GB/sec電壓：1.5V，相較於DDR2 的1.8V 降低約20 ％的耗電量容量：1GB/2GB符合RoHS（有害物質限用）指令, 無鹵素（Halogen free）產品品質穩定是Elixir的承諾！Elixir DDR3 規格的SODIMM 筆記型電腦專用記憶體已經做好準備，欲體驗Elixir 全方位同步的高速效率，讓電腦全速演進，展現最優異的效能，請至Elixir 全球網www.elixir-memory.com更多關於新世代Intel Centrino 2 Montevina 資訊，請至英特爾（Intel）官網 www.intel.com
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英特爾晶片組開始支援DDR3
英特爾春季IDF展日昨（18）於北京落幕，會中英特爾數位家庭事業群資深副總裁暨總經理Eric Kim表示，將於2007年第二季起，推出支援DDR3記憶體模組、產品代號為Bearlake的桌上型電腦晶片組產品。至於筆記型電腦晶片組，雖然英特 爾行動平台事業群總經理Mooly Eden仍然三緘其口表示不確定支援時程，但是根據了解，英特爾在明年登場的新一代Centrino平台（代號為Motevina）的晶片組 Cantiga，將有可能支援DDR3-800。
「DDR3相對DDR2有長足的進步，Centrino會在不久的將來支援，」Eden回應媒體提問時表示。
根據英特爾提供的資料，Bearlake系列桌上型電腦晶片組，其中P35以及G33晶片組將同時內建DDR2及DDR3記憶體控制器，包括主流級 Bearlake-P和IGP型號Bearlake-G。其中P35以及G33晶片組除了提升至1333MHz FSB外頻，並同時內建DDR2及DDR3記憶體控制器，最高可支援至DDR2-800及DDR3-1333模組。
DDR、DDR2和DDR3都是屬於SDRAM家族的記憶體產品。DDR3採用8 bit 預先取設計，較 DDR2 4bit 的預取設計為倍數成長，運算時脈介於800MHz至1600MHz之間。此外，DDR3 的規格要求將電壓控制在 1.5V，較 DDR2 的 1.8V更為省電。DDR3 採用ASR(Automatic self-refresh) 的設計，以確保在資料不遺失情況下，儘量減少更新頻率來降低溫度。
以DDR3 800、DDR3 1066及DDR3 1333與DDR2-800相比，其平均功耗分別下降25%、29%及40%，
拜英特爾宣佈915到975系統晶片組的平台開始規定使用DDR2記憶體模組，而AMD也表示在 Socket939架構轉換到SocketM2，需要與DDR2搭配使用之賜， DDR2幾乎已取代傳統DDR記憶體。根據國內市場研究機構DRAM exchange的產業研究報告，DDR2在去年第二季的比重就超過50%。
然而雖然英特爾宣佈挺進DDR3，但是市場要成熟還需要時間醞釀。記憶體大廠Kingston即表示，在今年正式將DDR3商品化後，預計2009年前者才有可能成為主流。
DRAM exchange也持類似看法。該研究機構日前發佈報告指出，預計支援DDR3的主機板以及DRAM模組將會在今年第二季就會出現在市場上。但由於現階段 DDR3 512Mb顆粒報價仍高達20美元以上，因此DDR3 512MB模組價格價格約180美元左右，相較於DDR2 512MB約23美元，價差高達8倍以上。因此在價格過高下，預期DDR3將不會在今年成為主流。至少需要等到70nm以下製程成熟，DRAM廠商才會大 量轉進DDR3世代。推估需要至2009年才會成為主流規格。
http://www.zdnet.com.tw/news/ce/0,2000085674,20117021,00.htm
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http://www.gsg9.tw/showthread.php?t=743
【新聞】次世代記憶體DDR3今年可望走入筆電市場
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